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L'oxyde d'hafnium pour la microélectronique


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Juni 2011

Beschreibung

Beschreibung

Du fait de sa grande constante diélectrique et sa large bande interdite, l'oxyde d'hafnium a récemment été proposé pour remplacer l'oxyde thermique classique. Le but de cette thèse était de faire un point sur les propriétés électriques de ce nouveau matériau et de mieux comprendre les difficultés rencontrées par l'industrie de la microélectronique pour intégrer cet oxyde alternatif dans les futurs transistors CMOS. Cette thèse est organisée en quatre chapitres. Chacun d'entre eux est consacré à une propriété électrique essentielle de l'empilement haute permittivité : L'EOT (Epaisseur Equivalente Oxyde), la conduction à travers l'isolant, les défauts électriques dans l'oxyde et la fiabilité du diélectrique.

Portrait

Xavier Garros received the M.S. in physics engineering, from the National Polytechnics Institute of Grenoble (2000) and his Ph.D. from the Univ.of Marseille (2004), on the physics of High-K dielectrics for CMOS technologies. Now he's working in CEA/Leti and has been member of scientific committees of international conferences like SISC and IEDM.
EAN: 9786131580376
ISBN: 6131580375
Untertitel: Caractérisation et modélisation électrique. Paperback. Sprache: Französisch.
Verlag: Editions universitaires europeennes EUE
Erscheinungsdatum: Juni 2011
Seitenanzahl: 304 Seiten
Format: kartoniert
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